东北大学主页平台杨杰--中文主页-- An All Silicon Carbide High Temperature (450+ °C) High Voltage Gain AC Coupled Differential Amplifier

扫描访问手机版

欢迎您的访问
您是第位访客

开通时间：..

最后更新时间：..

论文成果当前位置：中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

An All Silicon Carbide High Temperature (450+ °C) High Voltage Gain AC Coupled Differential Amplifier

点击次数：
是否译文：否

上一条： Characterization of SiC JFETs and its Application in Extreme Temperature(over 450ºC) Circuit Design

下一条： A Silicon Carbide Wireless Temperature Sensing System for High Temperature Applications