本人专注于利用量子力学方法计算研究宽禁带半导体、低维半导体芯片光电材料与器件中的一系列基本物理问题。这些基本物理问题直面半导体器件实际开发中最核心的关键科学问题。通过揭示凝聚态物质中的载流子激发、输运等能量转换过程，实现有效调控新型半导体芯片光电材料以获得最优异性质，促进前沿半导体光芯片材料的开发与应用。具体研究方向包括：

1. 宽禁带半导体中缺陷、掺杂特性的表征及调控；

2. 低维半导体材料原子结构和电子性质的理论研究；

3. 半导体材料中激发态载流子动力学过程的理论模拟；