[56] 邢鹏飞, 庄艳歆, 李大纲, 都兴红, 付念新, 涂赣峰. 一种用晶体硅切割废料电热冶金制备太阳能多晶硅的方法[P]. 中国: ZL201310031510.0. 申请日2013.01.28. 公开号CN103086378A, 公开日2013.05.08. 授权号CN103086378B, 授权日2014.07.23.
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- 专利名称:[56] 邢鹏飞, 庄艳歆, 李大纲, 都兴红, 付念新, 涂赣峰. 一种用晶体硅切割废料电热冶金制备太阳能多晶硅的方法[P]. 中国: ZL201310031510.0. 申请日2013.01.28. 公开号CN103086378A, 公开日2013.05.08. 授权号CN103086378B, 授权日2014.07.23.
- 是否职务专利:否
上一条:[55] 邢鹏飞, 庄艳歆, 任存治, 涂赣峰. 一种电热冶金法制备低硼磷高纯硅的方法[P]. 中国: ZL201110142290.X. 申请日2011.05.30. 公开号CN102241399A, 公开日2011.11.16. 授权号CN102241399B, 授权日2015.07.29.
下一条:[57] 邢鹏飞, 王珺, 庄艳歆, 任存治, 涂赣峰. 一种晶体硅切割废料氮化反应烧结碳化硅的方法[P]. 中国:ZL201110152492.2. 申请日2011.06.09. 公开号CN102275925A, 公开日2011.12.14. 授权号CN102275925B, 授权日2013.10.16.